描述：JKZC-ST4型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā凡⒖济绹?guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。

JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料四探針測(cè)試儀

關(guān)鍵詞：電阻，電阻率，四探針，半導(dǎo)體

膜探頭測(cè)薄膜                  鎢針探頭

一、產(chǎn)品概述

    JKZC-ST4型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā凡⒖济绹?guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。

儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。

二、符合：

1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?/span>

3、符合美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)

二、產(chǎn)品應(yīng)用：

1、測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；

2、可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻

3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）電阻率/方阻

4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻

5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量

6、可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻

二、基本技術(shù)參數(shù)

1、  測(cè)量范圍

     電  阻：1×10-4～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-5～1×102 Ω

   電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm

   方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□

2、測(cè)量方式：自動(dòng)或手動(dòng)

3、基本精度：±0.1/%

4、四探針探頭：

   (1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào)

   (2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可

5. 電源：198V －242V(AC），47.5Hz －63Hz

6、操作環(huán)境：  0°C －40°C ，≤90%RH

7、外形尺寸：200mm（長(zhǎng)）×220 mm（寬）×100mm（高）

8、數(shù)據(jù)傳輸方式；USB

9、軟件方式：人性化分析軟件界面，數(shù)據(jù)自動(dòng)生成 

                      分析軟件（一）