描述：BHLDT-400V型環(huán)境變溫變壓介電溫譜測試儀可在環(huán)境下外加高壓測量材料的介電性能，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛且在多個學(xué)科和產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，打破了以外常規(guī)的高溫介電溫譜儀，這種可以在高溫高壓條件下測量材料的介電性能，是一次重要的創(chuàng)新和突破，對于新的技術(shù)發(fā)展有著重要推動作用。

關(guān)鍵詞：介電，頻譜、阻抗譜、電模量,高溫

產(chǎn)品介紹：

BHLDT-400V型環(huán)境變溫變壓介電溫譜測試儀可在環(huán)境下外加高壓測量材料的介電性能，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛且在多個學(xué)科和產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，打破了以外常規(guī)的高溫介電溫譜儀，這種可以在高溫高壓條件下測量材料的介電性能，是一次重要的創(chuàng)新和突破，對于新的技術(shù)發(fā)展有著重要推動作用。

具體如下：

一、材料科學(xué)研究

· 新型絕緣材料開發(fā)：用于研究陶瓷、聚合物、復(fù)合材料等在高溫高壓下的介電常數(shù)、介電損耗等參數(shù)，助力開發(fā)高絕緣性、耐高溫的新型絕緣材料（如納米復(fù)合電介質(zhì)），滿足電力設(shè)備、新能源器件的絕緣需求。

· 鐵電與壓電材料研究：通過介電溫譜分析鐵電材料（如鈦酸鋇）的相變行為、居里溫度等特性，為傳感器、存儲器等器件的材料優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。

· 功能陶瓷與晶體研究：分析高溫高壓下介電性能變化，揭示材料的微觀結(jié)構(gòu)與介電特性的關(guān)聯(lián)，推動陶瓷電容器、微波介質(zhì)材料等的性能提升。

二、半導(dǎo)體與電子器件領(lǐng)域

· 半導(dǎo)體材料表征：測試硅、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體材料在高壓電場下的介電損耗和擊穿特性，優(yōu)化器件（如功率半導(dǎo)體）的耐高壓設(shè)計。

· 薄膜與涂層性能分析：研究半導(dǎo)體器件中絕緣層（如二氧化硅薄膜）或柵極材料在高溫環(huán)境下的介電穩(wěn)定性，避免器件因介電性能劣化導(dǎo)致失效。

· 電子元器件可靠性測試：評估電容、電阻等元件的封裝材料在高溫高壓下的介電性能，確保其在高頻、高電壓工況下的穩(wěn)定性（如汽車電子、高頻電路元件）。

三、能源與電力工業(yè)

· 高壓絕緣材料篩選：測試變壓器油、電纜絕緣層（如交聯(lián)聚乙烯）在高溫高壓下的介電損耗，預(yù)防絕緣老化引發(fā)的電力事故。

· 新能源電池與儲能材料：分析電池隔膜、電解質(zhì)材料的介電特性，優(yōu)化離子傳輸性能，提升鋰電池、固態(tài)電池的安全性和能量密度。

· 高溫超導(dǎo)材料研究：探索超導(dǎo)材料在條件下的介電響應(yīng)，為超導(dǎo)電纜、磁體等設(shè)備的絕緣設(shè)計提供依據(jù)。

四、地質(zhì)與地球物理研究

· 礦物與巖石介電特性：模擬地幔、地殼深處的高溫高壓環(huán)境，測量礦物（如橄欖石、石英）的介電性能，研究地球內(nèi)部物質(zhì)的電導(dǎo)率分布及地質(zhì)演化。

· 油氣資源勘探：通過介電溫譜分析巖石樣本在高壓下的介電特性，輔助判斷油氣儲層的物性參數(shù)（如含水量、孔隙度）。

五、航空航天與環(huán)境應(yīng)用

· 航天材料可靠性驗證：測試航天器外殼材料、電子設(shè)備絕緣部件在宇宙射線、高低溫交變環(huán)境下的介電穩(wěn)定性，確保設(shè)備在工況下正常運行。

· 環(huán)境模擬測試：模擬高空、深海等高壓環(huán)境，研究材料的介電性能變化，為深海探測器、航空發(fā)動機部件的材料選型提供數(shù)據(jù)。

六、環(huán)境與催化領(lǐng)域

· 高溫催化材料研究：分析介電材料（如鈦酸鍶）在高溫高壓下的介電響應(yīng)，探索其與催化活性的關(guān)聯(lián)，優(yōu)化環(huán)保催化劑（如汽車尾氣凈化材料）的性能。

· 環(huán)境監(jiān)測材料開發(fā)：研究介電材料在高溫高壓氣體（如 SO?、NOx）中的穩(wěn)定性，推動氣體傳感器、凈化設(shè)備的材料創(chuàng)新。

七、其他前沿領(lǐng)域

· 量子材料與器件：研究二維材料（如石墨烯）、拓?fù)浣^緣體在高壓下的介電特性，為量子計算器件的絕緣層設(shè)計提供參考。

· 納米材料與器件：測試納米薄膜、納米復(fù)合材料的介電性能，探索其在微型傳感器、高頻電子器件中的應(yīng)用潛力。

· 二、主要技術(shù)參數(shù)：

· 1、溫度范圍: -160℃-600℃

· 2、外加高壓：0-5000V

· 3、升溫速度: 1—20。C/min, 測溫精度: 0.1℃

· 4、控溫模式: 程序控制，提供常溫、變溫、恒溫、升溫、降溫等多種組合方式

· 5、通訊接口: RS-485

· 6、測試頻率: 20Hz~1MHz ，5MHZ等多種頻率可選

· 7、電極材質(zhì): 紫銅合金

· 8、測量精度： 0.1%；

· 9、探針數(shù)：   2個

· 10、通道：     1個

· 11、軟件功能：自動分析數(shù)據(jù)，可以分類保存，樣品和測量方案結(jié)合在一起，生成系統(tǒng)所需的實驗方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

· 12、測量方案    可抽真空，充氣氛， 配冷水接口

· 13、接口方式：包括Keysight\WayneKerr\Tonghui等多種LCR接口，

· 14、樣品臺：銀質(zhì)臺35*35mm

· 15、凈   重：    22KG